RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3F13332G 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link