RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
4240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link