RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3594
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link