RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.9
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3594
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link