RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2386
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link