RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2386
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Inmos + 256MB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link