RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2245
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link