RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2370
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link