RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,476.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,710.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,476.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1026
2438
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link