Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB против Micron Technology 16G2666CL19 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 15.4

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 48

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 2,476.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 24
Скорость чтения, Гб/сек

5,710.4 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,476.1 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1026 2438

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB

Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

модули RAM