RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
106
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
106
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
1252
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link