RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
106
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.6
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
106
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
1252
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link