RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3155
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link