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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
3155
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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