RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2990
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R744G2400U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link