RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3925
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link