RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2566
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link