RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2945
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link