RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2987
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link