RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2277
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link