RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
39
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3355
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link