RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2971
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link