RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3300
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link