Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 65

Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.4 2,451.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

878 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns