RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2515
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link