RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
65
Wokół strony -242% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3370
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link