RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
19.8
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3370
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link