RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2438
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link