RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3308
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link