RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
66
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,096.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2038
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link