RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
66
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,096.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2038
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link