RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3500
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link