RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
4015
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link