RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2882
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link