RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4235
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link