RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
51
Intorno -155% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
20
Velocità di lettura, GB/s
15.6
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
19.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
4235
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link