RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
60
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2981
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link