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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
4,595.2
19.4
写入速度,GB/s
2,168.2
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2981
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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