RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
60
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3460
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link