RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3497
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link