RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3252
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link