RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3252
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link