RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2731
2490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link