RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2731
2490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link