RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB против Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
10.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.8
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2731
2490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link