RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4151
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link