RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
4151
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link