RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2723
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link