RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
60
Por volta de -161% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2723
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link