RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2819
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link