RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2052
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link