RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
73
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1468
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link